제조업체 제품 번호:
IPB120N06N G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB120N06N G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12800185
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제출
IPB120N06N G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
75A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 94µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2100 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
158W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB120N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB120N06NGXT
IPB120N06NG
IPB120N06NGINDKR
IPB120N06N G-DG
IPB120N06NGINTR
IPB120N06NGATMA1
SP000204176
IPB120N06NGINCT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BUK7613-60E,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3002
부품 번호
BUK7613-60E,118-DG
단가
0.64
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB60NF06T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1362
부품 번호
STB60NF06T4-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN7R6-60BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
7953
부품 번호
PSMN7R6-60BS,118-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN004-60B,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
8252
부품 번호
PSMN004-60B,118-DG
단가
1.22
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RSJ400N06FRATL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1258
부품 번호
RSJ400N06FRATL-DG
단가
0.66
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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